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能量色散X熒光光譜儀

簡(jiǎn)要描述:EDX-9000B PLUS XRF Spectrometer能量色散X熒光光譜儀
ESI英飛思EDX9000B plus光譜儀主要應(yīng)用于采礦作業(yè)(勘探、開采、品位控制),工業(yè)礦物,生產(chǎn)水泥和建筑材料的原材料,耐火材料,陶瓷和玻璃,地球化學(xué)學(xué)術(shù)研究,考古等。

  • 產(chǎn)品廠地:蘇州市
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2024-10-29
  • 訪  問(wèn)  量:775

詳細(xì)介紹

品牌英飛思行業(yè)專用類型通用
價(jià)格區(qū)間面議儀器種類臺(tái)式/落地式
應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,石油,地礦,電子,綜合

EDX-9000B PLUS XRF Spectrometer能量色散X熒光光譜儀

礦產(chǎn)礦石專用分析儀

Simply the Best

>*制成Peltier電制冷 FAST SDD硅漂移檢測(cè)器

>真空光路配備薄膜濾光片技術(shù),提高輕元素檢出限

>可同時(shí)分析40種元素

>可分析固體,液體,粉末和泥漿

>yuan裝進(jìn)口X光管管芯提供可靠zhuo越樣品激發(fā)性能

>無(wú)損檢測(cè),快速分析(1-2分鐘出結(jié)果)

>無(wú)需化學(xué)試劑,無(wú)耗材,更環(huán)保,更高效

EDX9000B Plus能量色散X熒光光譜儀-礦產(chǎn)/礦石分析專家

ESI英飛思EDX9000B plus光譜儀主要應(yīng)用于采礦作業(yè)(勘探、開采、品位控制)工業(yè)礦物,

生產(chǎn)水泥和建筑材料的原材料,耐火材料,陶瓷和玻璃地球化學(xué)學(xué)術(shù)研究,考古。EDX9000B plus優(yōu)異的線性動(dòng)態(tài)范圍,可實(shí)現(xiàn)在水泥、礦物、采礦、金屬、玻璃和陶瓷行業(yè)進(jìn)行超高精度的過(guò)程控制和質(zhì)量控制。

具有全新真空光路系統(tǒng)和超高分辨率技術(shù)的新一代Fast SDD檢測(cè)器,對(duì)輕、中、重元素和常見氧化物(Na2O、MgOAl2O?、SiO?、P2O5、SO?、K2OCaO、TiO?、Cr2O?、MnO、Fe2O?、ZnOSrO等)都可達(dá)到最佳分析效果。

EDX9000B pluszhuo越的分析性能,使其可以輕松完成對(duì)以下礦種的測(cè)試:

鐵礦(磁鐵礦、赤鐵礦、鈦鐵礦、菱鐵礦等)

銅礦(黃銅礦、赤銅礦、孔雀石等)

鉻礦(鉻鐵尖晶石、鉻鐵礦、鉻鉍礦等)

鉬礦(輝鉬礦、銅鉬礦、鎢鉬礦等)

鎢礦(白鎢礦、黑鎢礦、錫鎢礦等)

鉭礦(鉭鐵礦、鈮鐵礦、燒綠石等)

鉛鋅礦(方鉛礦、閃鋅礦、白鉛礦等)

鎳礦(紅土鎳礦、硫化銅鎳礦等)

鋁土礦

其它礦類

產(chǎn)品特點(diǎn)

1.小型化、高性能、高速度、易操作,Na11-U92高靈敏度、高精度分析

2.可同時(shí)分析40種元素

3.采用多準(zhǔn)直器多濾光片和扣背景zhuan利技術(shù)

4. Peltier電制冷 FAST SDD硅漂移檢測(cè)器提供出色的短期重復(fù)性和長(zhǎng)期再現(xiàn)性以及出色的元素峰分辨率

5.超高記數(shù)數(shù)字多道電路設(shè)計(jì),雙真空抽速機(jī)構(gòu),真空度自動(dòng)穩(wěn)定系統(tǒng)

6.標(biāo)配基本參數(shù)法軟件,多任務(wù),多窗口操作

7.zhuan利薄膜濾光片技術(shù),有效提高輕元素檢出限

 

礦產(chǎn)元素檢測(cè)專家EDX9000B Plus

>儀器參數(shù)

儀器外觀尺寸: 565mm*385mm*415mm

超大樣品腔:465mm*330mm*110mm

半封閉樣品腔(抽真空時(shí)):Φ150mm×75mm

儀器重量: 48Kg

元素分析范圍:Na11-U92鈉到鈾

可分析含量范圍:1ppm- 99.99%

探測(cè)器:AmpTek 超高分辨率電制冷Fast SDD硅漂移檢測(cè)器

探測(cè)器分辨率:122 eV FWHM at 5.9 keV

處理器類型:全數(shù)字化DP-5分析器

譜總通道數(shù):4096

X光管:高功率50瓦光管(yuan裝進(jìn)口管芯),冷卻方式:硅脂冷卻

光管窗口材料:鈹窗

準(zhǔn)直器:多達(dá)8種選擇,最小0.2mm

濾光片:7種濾光片的自由選擇和切換

高壓發(fā)生裝置:原裝美國(guó)高壓,電壓輸出:0-50kV;輸出電流:0-1mA

高壓參數(shù):最小5kv可控調(diào)節(jié),自帶電壓過(guò)載保護(hù),輸出精度:0.01%

樣品觀察系統(tǒng):500萬(wàn)像素高清CCD攝像頭

電壓:220ACV 50/60HZ

環(huán)境溫度:-10 °C 35 °C


儀器配置

>標(biāo)準(zhǔn)配置

>可選配置

Ag初始化標(biāo)樣

磨樣機(jī)

真空泵

壓片機(jī)

礦石專用樣品杯 

烘干箱

USB數(shù)據(jù)線

ESI-900XRF專用全自動(dòng)熔樣機(jī)

電源線

電子秤

測(cè)試薄膜

礦石標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)

儀器出廠和標(biāo)定報(bào)告

交流凈化穩(wěn)壓電源

保修卡

150目篩子


全新設(shè)計(jì)的XTEST分析軟件

軟件內(nèi)核包括基本參數(shù)法FP),經(jīng)驗(yàn)系數(shù)法(EC,可輕松分析各類樣品。

*光譜處理參數(shù)包括用于定義背景連續(xù)性,堆積峰和峰總和,平滑度以及測(cè)量到的峰背景光譜的數(shù)量

*對(duì)吸收以及厚膜和薄膜二次熒光的*校正,即所有基質(zhì)效應(yīng),增強(qiáng)和吸收。

*譜顯示:峰定性,KLM標(biāo)記,譜重疊比較,可同時(shí)顯示多個(gè)光譜圖

*可以通過(guò)積分峰的凈面積或使用測(cè)得的參考光峰響應(yīng),將光峰強(qiáng)度建模為高斯函數(shù)。

*可以使用純基本參數(shù)方法,具有分散比的基本參數(shù)(對(duì)于包含大量低Z材料的樣品)或通過(guò)簡(jiǎn)單的最小二乘擬合進(jìn)行定量分析。

*基本參數(shù)分析可以基于單個(gè)多元素標(biāo)準(zhǔn),多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)或沒(méi)有標(biāo)準(zhǔn)的樣品。

 

鋁土礦樣品10次連續(xù)測(cè)試穩(wěn)定性報(bào)告

樣品

氧化鎂
MgO

三氧化二鋁
Al2O3  

二氧化硅
SiO2

氧化鉀
K2O

氧化鈣
CaO

二氧化鈦
TiO2

氧化錳
MnO

三氧化二鐵
Fe2O3

Sample-1

0.438

84.577

8.754

0.196

0.502

3.753

0.049

1.966

Sample-2

0.442

84.853

8.88

0.197

0.522

3.799

0.052

1.962

Sample-3

0.424

84.508

8.81

0.197

0.509

3.852

0.051

1.983

Sample-4

0.427

84.537

8.636

0.196

0.513

3.777

0.051

1.963

Sample-5

0.424

84.501

8.709

0.197

0.503

3.791

0.05

1.973

Sample-6

0.415

84.496

8.737

0.2

0.513

3.861

0.051

2.013

Sample-7

0.45

84.818

8.917

0.197

0.511

3.854

0.051

1.966

Sample-8

0.423

84.577

8.689

0.201

0.501

3.838

0.05

1.971

Sample-9

0.447

84.381

8.74

0.199

0.495

3.853

0.05

1.971

Sample-10

0.453

84.753

8.893

0.201

0.517

3.793

0.052

1.981

Average         平均值

0.434

84.6

8.776

0.198

0.509

3.817

0.051

1.975

Standard Deviation
標(biāo)準(zhǔn)偏差

0.013

0.155

0.094

0.002

0.008

0.039

0.001

0.015

RSD
相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差

3.10%

0.18%

1.08%

0.97%

1.63%

1.02%

1.91%

0.76%


 

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